深圳市银河之芯电子经营部

ADT2-1T-1P+


50Ω 8至600兆赫


特征


•出色的回波损耗，15 dB典型值。


•出色的振幅不平衡，0.1 dB典型值。


和相位不平衡，1度典型值。


•高达1瓦的高射频功率


•水性可洗


应用


•阻抗匹配


工作温度-40°C至85°C


储存温度-55°C至100°C


射频功率1W


直流电流30mA


ADT2-1T-1P+

封装：CD542


+符合RoHS标准


+后缀表示RoHS合规性。

ADT2-1T-1P+

50Ω 8 to 600 MHz

Features

• excellent return loss, 15 dB typ.

• excellent amplitude unbalance, 0.1 dB typ.

and phase unbalance, 1 deg. typ.

• high RF power up to 1 watt

• aqueous washable

• protected under US patent 6,133,525

• impedance matching

• baluns

Operating Temperature -40°C to 85°C

Storage Temperature -55°C to 100°C

RF Power 1W

DC Current 30mA

Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded.

ADT2-1T-1P+

CASE STYLE: CD542

+RoHS Compliant